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吴春艳


基本情况:吴春艳教授,2006年获得中国科学技术大学博士学位

研究方向:微纳功能材料与器件

教学科研:

主讲课程: 本科生《薄膜物理与技术》,研究生 《电子材料制备与表征》

通信地址: 安徽省合肥市屯溪路193

合肥工业大学电子科学与应用物理学院

邮政编码:230009

    0551-62901993

Email: cywu@hfut.edu.cn

主持科研项目:

国家自然科学基金青年基金“铜基硫属半导体纳米材料的液相可控合成与性能研究”;

安徽省自然科学基金面上项目“基于Cu2S准一维纳米结构的径向异质结的制备及其光伏特性研究”;

中央高校基本科研业务费专项“基于准一维纳米结构的非易失性存储器研究”。

已发表的主要论文(第一作者或通讯作者):

1. n-type In2S3 films deposited by pulsed laser deposition: effect of laser power on the properties of the films. Mater. Res. Express 2015, 2, 056401. (SCI)

2. n-Type KCu3S2 microbelts: optical, electrical, and optoelectronic properties. RSC Adv. 2014, 4, 59221. (SCI)

3. High performance nonvolatile memory devices based on Cu2-xSe nanowires. Appl. Phys. Lett. 2013, 103, 193501. (SCI)

4. Flexible CuS nanotubes-ITO film Schottky junction solar cells with enhanced light harvesting by using an Ag mirror. Nanotechnology 2013, 24, 045402. (SCI)

5. Chlorine-doped n-type CdS nanowires with enhanced photoconductivity. Nanotechnology 2010, 21, 505203. (SCI)

6. Complex Concaved Cuboctahedrons of Copper Sulfide Crystals with Highly Geometrical Symmetry Created by a Solution Process. Chem. Mater. 2006, 18, 3599. (SCI)

7. Large scale synthesis of uniform CuS nanotubes in ethylene glycol by a sacrificial templating method under mild conditions. J. Mater. Chem. 2006, 16, 3326. (SCI)

已授权发明专利(第一发明人):

1. 金属/半导体纳米线交叉结构异质结的制备方法。发明专利号:ZL 201110197871.3

2. 基于CuS准一维纳米结构的纳米太阳能电池的制备方法。发明专利号:ZL 201210053645.2

3. 基于硫化亚铜化合物的准一维纳米阻变存储器与制备方法。发明专利号:ZL 201310262103.0

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