报告时间：2018年5月15日（周二）9:00

报告地点：翡翠湖校区科教楼第五会议室

报告人：叶建东教授

工作单位：南京大学

报告人简介：

叶建东，南京大学电子科学与工程学院教授、博导。2002年和2006年分别获南京大学理学学士和工学博士学位。曾在新加坡科技发展局（A*STAR）微电子研究院工作和澳大利亚国立大学任职Senior Research Engineer和 Queen Elizabeth II Fellow。主要从事宽禁带氧化物半导体光电子材料与信息功能器件的研究，主持和完成包括国家重点研发计划课题、国家优秀青年基金、面上项目和江苏省杰出青年基金等8项科研项目。2014年获得江苏省第十一批“六大高峰人才”培养计划A类资助。在国外工作期间曾主持和完成新加坡科技发展局重大科技项目、创新探索项目及澳大利亚研究基金会人才创新项目。在IEEE EDL、IEEE PTL、APL、PRB、Sci. Rep、Nano Lett等国际一流刊物上共发表SCI论文101篇，他引1800余次，H因子23。多次在美国材料学会会议 (MRS)春季和秋季会议等重要国际学术会议上作特邀报告。

报告摘要：

以氧化镓为代表宽禁带氧化物半导体材料具有独特的光电特性及高击穿电压、高电子饱和速率等优点，是继III族氮化物之后在短波长光电子器件及高频高功率电子器件的应用方面又一类重要的优选材料。本工作将介绍高质量氧化镓外延、掺杂及其相关基本物性研究。利用激光分子束外延方法在β-Ga₂O₃同质衬底上实现了高质量的二维层状同质外延，利用能带工程实现了高Al组分的Al_2-2xGa₂O₃合金单晶结构以及具有亚稳态特征的α-Ga₂O₃/ZnO异质结构，并发展出高性能、低功耗的日盲紫外雪崩探测器。