边历峰: 纳米光电器件研究
发布时间:2018-05-22    发布人:王墨林   

报告时间2018524日(星期20:30-22:00

报告地点翡翠湖校区科教楼会议室(A座一楼107

边历峰研究员

工作单位中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

举办单位电子科学与应用物理学院/微电子学院

报告人简介

边历峰博士,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员,博士生导师,中国科学院纳米器件与应用重点实验室副主任。1998年毕业于合肥工业大学应用物理系微电子专业,2001年中国科学院合肥智能机械研究所获得硕士学位,2004年中国科学院半导体所获凝聚态物理专业博士学位。2004-2006年德国Paul Drude固体电子学研究所开展博士后研究工作。2006年加入苏州纳米所,主要从事低维纳米半导体物理和器件的光电性质研究,开展GaAsGaNIII-V族半导体及其低维纳米结构器件及其光电性质研究,发表文章40余篇,授权专利10余项。 参与并承担国家、省部等各级科研项目20余项。

报告简介:

近二十年,纳米技术发展迅猛,在电子信息、新能源、新材料、先进装备、生物医药、生态环保等新兴产业中都具有重大的引领带动作用。在我国,江苏省以纳米技术为重心,在区域乃至全国开展纳米产业的引领探索。报告主要针对纳米光电器件的发展,介绍光电器件的相关研究及纳米技术在光电器件的应用与进展,特别是纳米技术在激光器、LED、光伏电池以及太赫兹器件等方面的应用研究取得的发展和带来的机遇。

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