报告时间：2018年5月24日（星期四）19:00-20:30

报告地点：翡翠湖校区科教楼第四会议室(A座一楼107）

报告人：刘建平研究员

工作单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

举办单位：电子科学与应用物理学院/微电子学院

报告人简介：

刘建平研究员，2004年6月在中科院半导体所获博士学位。2004年7至2006年9月在北京工业大学光电子技术实验室工作，2006年10月至2010年4 月在美国佐治亚理工学院电子与计算机工程系从事博士后研究，此后加入中科院苏州纳米所任研究员、博士生导师。一直从事GaN基材料与器件和MOCVD 技术研究，十多年以来致力于GaN基材料生长和高效LED、激光器、HEMT等的研发与产业化。主持国家重点研发计划课题、国家基金委、江苏省科研项目多项，研制出国内第一支室温连续工作的GaN绿光激光器和大功率蓝光激光器。在Light: Sci & Appl.、Nature Photonics、Appl. Phys. Lett.、Optical Express等国际期刊发表SCI收录论文100余篇。

报告简介：

氮化镓（GaN）基激光器将半导体激光器的波长拓展到蓝、绿光波段，正在带动大色域激光显示、高亮度激光照明等领域的技术革新，并正兴起为激光加工铜、金等金属的最好光源。在这个报告中，我将介绍GaN基激光器的应用前景、研制难点、研究进展，并重点介绍苏州纳米所在GaN材料的外延生长，激光器芯片制备，器件物理方面的研究进展，包括InGaN量子阱的生长行为、缺陷抑制、非均匀展宽抑制，低温生长AlGaN:Mg的杂质并入与电学性质的关联，激光器内损耗抑制，最后介绍我们研制的GaN蓝光和绿光激光器的器件特性。