2019年11月19日，秋风萧瑟，黄叶遍地，电子科学与应用物理学院有幸邀请到湖南大学物理与微电子科学学院的廖蕾教授，为我院师生做“二维半导体电子器件”的学术报告。

报告伊始，电物学院院长——梁华国教授为在座师生介绍廖蕾教授的研究领域与个人经历。廖蕾教授2017年1月加入湖南大学物理与微电子科学学院，在Nature、Nature Commun.、PNAS、Nano Lett.和Adv. Mater.等学术期刊发表SCI论文150余篇，H因子61，他人引用大于10000次。授权中国发明专利5项。先后获得Scopus“青年科学家之星”奖（2011），国家自然基金优秀青年科学基金（2012），中组部青年拔尖人才计划（2015），国家杰出青年科学基金（2019公示）。

紧接着，廖蕾教授开始详细的向各位师生做报告。廖教授首先指出二维半导体材料的研究背景，之后分享了自己关于二维半导体的异质集成与器件构筑的方法、过程和成果。在报告中，廖教授提出了通过范德华集成方法，获得具有高性能的二维半导体器件，之后在超薄缓冲层技术的基础上实现了部分器件技术与传统工艺的兼容，然后提出分子插层方法，突破了层数不确定性对器件性能的制约，最后便可获得有效的PN掺杂技术获得高性能反相器。

在现场提问环节，廖蕾教授对老师和同学们的问题，一一的予以了详细解答，并为二维半导体器件设计与构建提供了新的思路，给我院师生带来诸多启发。在这里再次感谢廖蕾教授的慷慨分享。

报告人简介：

廖蕾，湖南大学教授。2004年，获武汉大学物理学院材料物理专业学士学位；2009年，获武汉大学材料物理与化学专业博士学位。其间，在中国科学院物理研究所联合培养，后赴新加坡南洋理工大学开展合作研究。2009年至2011年，在加州大学洛杉矶分校进行博士后工作，2011年7月份至2016年12月在武汉大学物理学院工作，2017年1月加入湖南大学物理与微电子科学学院。在Nature、Nature Commun.、PNAS、Nano Lett.和Adv. Mater.等学术期刊发表SCI论文150余篇，H因子61，他人引用大于10000次。授权中国发明专利5项。先后获得Scopus“青年科学家之星”奖（2011），国家自然基金优秀青年科学基金（2012），中组部青年拔尖人才计划（2015），国家杰出青年科学基金（2019公示）。

报告简介：

晶体管是现代信息技术中最重要的发明之一，是所有现代电路的关键主动元件。一直以来，晶体管沿着摩尔定律的方向不断发展，缩小器件特征尺寸，增快器件开关速度。但是随着晶体管的沟道长度缩短至10纳米，短沟道效应和量子限域效应带来的影响已经不能忽略，沟道长度缩短与器件性能提升不能完全对应。因此为了保持晶体管的继续发展和克服短沟道效应带来的影响，对半导体材料的质量要求越来越高，厚度要求越来越薄。二维半导体材料成为克服短沟道效应的潜在候选之一。

报告将介绍二维半导体的异质集成与器件构筑；采用范德华异质集成和超薄缓冲层方法，抑制传统沉积技术产生的缺陷，降低栅介质/二维材料的界面缺陷密度，削弱金属/二维材料的钉扎效应，获得了高质量的器件界面。上述工作为二维半导体器件设计与构建提供了新的思路。