报告题目：

学院创新实践系列专题报告(3)-基于缺陷抑制和应力调控的氮化镓基高效红光LED研究

报告时间：2021年3月31日15:30至16:30

报告地点：合肥工业大学翡翠湖校区七教304

报告人：邢琨 副教授

工作单位：合肥工业大学微电子学院

报告人简介：

邢琨，合肥工业大学微电子学院副教授，硕士生导师。长期从事宽禁带半导体材料的MOCVD外延和相关光电器件微纳制程工艺的研究工作。承担多项由英国工程和自然研究委员会拨款的国家级重点科研项目；主持4项III族氮化物半导体企业科技合作课题项目，推进科研成果的有效转化。迄今，已在Applied Physics Letters等SCI学术期刊发表多篇论文，并获得已授权专利2项。

报告内容简介：

新一代绿色环保、健康节能的高效GaN基红光LED是世界科技的前沿和我国发展的重大需求，对促进健康照明、micro-LED全彩显示和可见光通讯等领域的发展具有重大价值和现实意义，也是带动产业升级的重要举措。目前，GaN基红光LED存在的问题包括：大失配异质外延条件下引起较高的GaN晶体缺陷密度进而导致载流子非辐射复合效率大幅上升的问题；大失配异质外延条件下引起较大的GaN晶格应力进而导致实现长波段可见光输出困难的问题。本次报告重点介绍提升GaN晶体质量并降低GaN晶格应力的有效手段与关键技术。

主办单位：学院创新中心、学院团委