报告时间：2023年11月24日（星期五）15:00-16:00

工作单位：西北核技术研究院

举办单位：微电子学院

会议地点：翡翠湖校区科教楼B楼四楼中厅会议室

报告简介：

 以单粒子效应为代表的空间辐射效应是航天器面临的重要威胁，是导致航天器故障的主要原因之一。为实现设计过程中分析并减缓辐射效应易损性，有必要快速、准确评价电路抗辐照性能。提出一种重离子入射版图不同位置时考虑扩散收集、节点电压反馈、寄生双极放大等次级效应的电流脉冲重构方法，确立了体硅CMOS工艺单粒子效应电路级仿真的完整流程，开发了集成于标准集成电路设计流程的仿真软件TREES1.0、TREES2.0。以电路版图作为输入，输出单粒子翻转/瞬态灵敏区域、截面数值、瞬态脉宽统计等信息。为满足面向工程应用的空间辐射效应快速评估需求，升级版本SREES1.0中增加了针对标准单元库的批处理分析功能，已应用于28nm工艺抗辐照加固单元库。

报告人简介：

丁李利，西北核技术研究院研究员，毕业于清华大学工程物理系，曾于意大利博洛尼亚大学、帕多瓦大学从事博士后工作。主要从事抗辐射加固技术研究，在辐射效应仿真与试验评估方向开展了系列工作。丁李利曾入选首届中国科协“青年人才托举工程”，部委级“青年科技英才”，获中国航天基金会“航天贡献奖”，中国核学会“女科学家奖”。获部委级科技进步一等奖、三等奖各1项，参编国家标准或国家军用标准5项，发表学术论文51篇，获国家专利授权30项，软件著作权3项，出版译著2部。多次担任辐射效应领域顶级会议NSREC、RADECS、ICREED等国际会议分会主席，担任辐射效应领域顶级期刊《IEEE Transactions on Nuclear Science》副主编、国内核心期刊《现代应用物理》执行编委。