报告时间：2019年11月19日16:00至17:00

报告地点：翡翠湖校区科教楼第五会议室

报告人：廖蕾教授杰青

工作单位：湖南大学物理与微电子科学学院

举办单位：电子科学与应用物理学院/微电子学院

报告人简介：廖蕾，湖南大学教授。2004年，获武汉大学物理学院材料物理专业学士学位；2009年，获武汉大学材料物理与化学专业博士学位。其间，在中国科学院物理研究所联合培养，后赴新加坡南洋理工大学开展合作研究。2009年至2011年，在加州大学洛杉矶分校进行博士后工作，2011年7月份至2016年12月在武汉大学物理学院工作，2017年1月加入湖南大学物理与微电子科学学院。在Nature、Nature Commun.、PNAS、Nano Lett.和Adv. Mater.等学术期刊发表SCI论文150余篇，H因子61，他人引用大于10000次。授权中国发明专利5项。先后获得Scopus“青年科学家之星”奖（2011），国家自然基金优秀青年科学基金（2012），中组部青年拔尖人才计划（2015），国家杰出青年科学基金（2019公示）。

报告简介：晶体管是现代信息技术中最重要的发明之一，是所有现代电路的关键主动元件。一直以来，晶体管沿着摩尔定律的方向不断发展，缩小器件特征尺寸，增快器件开关速度。但是随着晶体管的沟道长度缩短至10纳米，短沟道效应和量子限域效应带来的影响已经不能忽略，沟道长度缩短与器件性能提升不能完全对应。因此为了保持晶体管的继续发展和克服短沟道效应带来的影响，对半导体材料的质量要求越来越高，厚度要求越来越薄。二维半导体材料成为克服短沟道效应的潜在候选之一。

报告将介绍二维半导体的异质集成与器件构筑；采用范德华异质集成和超薄缓冲层方法，抑制传统沉积技术产生的缺陷，降低栅介质/二维材料的界面缺陷密度，削弱金属/二维材料的钉扎效应，获得了高质量的器件界面。上述工作为二维半导体器件设计与构建提供了新的思路。