邢琨
发布时间:2020-11-05    发布人:杨武    阅读次数:4129

姓 名:邢琨

职 称:副教授

职 务:

所属系:电子科学系

邮 箱:k.xing@hfut.edu.cn

电 话:

个人简介:

工作经历:

2017-至今 合肥工业大学 副教授

2018-2020 南京大学 博士后访问学者 (合作导师:刘斌教授)

2014-2016 英国谢菲尔德大学  博士后 (合作导师:Tao Wang教授)

教育背景:

2010-2014 英国谢菲尔德大学 博士

2007-2010 英国谢菲尔德大学 学士

研究方向:

第三代半导体材料及光电子器件的MOCVD外延及芯片制程

开设课程:

本科生课程:《半导体光电材料》

研究生课程:《薄膜微电子》

科研项目:

1. 国家自然科学基金青年项目,2023-202530万,主持(氮化镓红光LED)

2. 徽省自然科学基金青年项目2022-202410万,主持(氮化镓黄光LED)

3. 企业横向科研项目,2020-202250万,主持(氮化镓外延工艺开发)

4. 企业横向科研项目,2020-202150万,参与(氧化镓基功率器件的研发)

5. 企业横向科研项目,2019-202020万,主持(氮化镓晶体外延工艺开发)

6. 企业横向科研项目,2017-201928.8万,主持(氮化镓LED的研发)

代表成果

1. K. Xing*, C. Tseng, L. Wang, P. Chi, J. Wang, P. Chen, and H. Liang, Applied Physics Letters 114, 131105 (2019).

2. Y. Liang, M. Ma, X. Zhong, C. Xie, X. Tong, K. Xing*, and C. Wu*, IEEE Electron Device Letters 42, 1192 (2021).

3. K. Xing, Y. Gong, J. Bai, and T. Wang*, Applied Physics Letters 99, 181907 (2011).

4. Y. Gong, K. Xing, and T. Wang*, Applied Physics Letters 99, 171912 (2011).

5. J. Wang, S. Cao, L. Yang, Y. Zhang, K. Xing*, X. Lu, and J. Xu*, Nanoscale 13, 16487 (2021).

6. K. Xing, G. Xie, X. Cheng, Y. Zhang*, and Q. Chen*, Journal of Crystal Growth 597, 126855 (2022).

7. K. Xing*, X. Cheng, L. Wang, S. Chen, Y. Zhang*, and H. Liang, Journal of Crystal Growth 570, 126207 (2021).

8. K. Xing*, S. Chen, X. Tao, C. Lee, J. Wang, Q. Xu, and H. Liang, Applied Physics Express 12, 115501 (2019).

9. K. Xing*, J. Wang, L. Wang, X. Tao, S. Chen, and H. Liang, Applied Physics Express 12, 105501 (2019).

10. Q. Zhang, L. Shen, P. Liu*, P. Xia, J. Li, H. Feng, C. Liu, K. Xing*, A. Song, M. Li, X. Yang, and Y. Huang, Composites Part B 226, 109365 (2021).

已授权专利 

1. 邢琨(2020)非极性面Ⅲ族氮化物外延结构及其制备方法,CN109148654B

2. 邢琨(2020),一种氮化镓基纳米柱阵列的制备方法,CN107424912B

3. 邢琨(2019)一种氮化镓纳米孔洞的制备方法,CN107978662B

4. 邢琨(2019)半极性氮化镓外延层结构以及发光二极管,CN209859968U

5. 邢琨(2017)一种氮化铝复合缓冲层及氮化镓基半导体器件,CN206672959U


课题组每年招收硕士生3-5人,本科生毕业设计若干。欢迎有志于在第三代半导体芯片领域发展的研究生及本科生同学加入课题组。



0551-62919106

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